Intel и Micron официально представили новую энергонезависимую память 3D XPoint

Полупроводниковые гиганты Intel Corporation и Micron Technology представили во вторник новый вид энергонезависимой памяти 3D XPoint, которая работает значительно быстрее и более долговечна, чем флеш-память NAND.

Вчерашний день был очень богат на анонсы различных технологий. Вслед за компанией Qualcomm, которая объявила о завершении работ над новой технологией WiPower, позволяющей создавать беспроводные зарядки для устройств с корпусом из любого материала, свою новую разработку представили американские компании Intel Corporation и Micron Technology, известные во всём мире своей полупроводниковой продукцией, в том числе чипами памяти DRAM и NAND.

Вчера вечером американские компании Intel Corporation и Micron Technology представили совершенно новую энергонезависимую память 3D XPoint. По заявлению компаний, технология 3D XPoint является крупнейшим прорывом в полупроводниковой индустрии с момента анонса флеш-памяти NAND, которая была анонсирована японским концерном Toshiba в далёком 1989 году. В пресс-релизе говорится, что технология 3D XPoint была создана с нуля, а на её разработку и различные исследования компании потратили около 10 лет.

Новая технология способна удовлетворить спрос на энергонезависимые, высокоскоростные, долговечные и высокоёмкие решения для хранения данных. Среди основных преимуществ 3D XPoint называются высокая производительность и плотность размещения компонентов, низкое энергопотребление и доступные цены. Кроме того, новый вид памяти в 1000 раз быстрее, имеет до 1000 раз более длительный срок службы, чем флеш-память NAND, и имеет в 10 раз более высокую плотность размещения компонентов по сравнению с обычной памятью (DRAM).

Таких выдающихся показателей удалось добиться за счёт того, что технология 3D XPoint представляет собой «трехмерную шахматную архитектуру», на которой ячейки памяти могут быть размещены на пересечении числовых и разрядных линий. Такая конструкция позволяет осуществлять адресацию в независимом порядке, в результате чего данные могут записываться и считываться небольшими размерами, что приводит к более быстрому и эффективному процессу чтения/записи.

Ожидается, что первые чипы памяти 3D XPoint будут выпускается в виде 128-Гбит микросхем с двухуровневой структурой на 300-мм заводе компании Micron, расположенном в штате Юта. Компании Intel Corporation и Micron Technology планируют выпустить пробную партию чипов на базе технологии 3D XPoint уже в этом году. Одновременно с этим они разрабатывают собственную продукцию на базе этой технологии, которая появится на рынке не раньше 2016 года.