В 2016 году Micron планирует начать производство памяти GDDR6
Один из ведущих производителей DRAM, американская компания Micron Technology в следующем году планирует представить новый тип памяти, скорость которой будет в два раза превышать скорость памяти GDDR предыдущего поколения.
В конце третьего квартала 2015 финансового года один из ведущих производителей динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), компания Micron Technology, анонсировала начало коммерческих поставок микросхем GDDR5, выпускаемых по 20 нм техпроцессу. Осенью американская компания представила память GDDR5X, которая, по сути, являлась эволюцией памяти GDDR5, выражающейся в оптимизации обработки данных на тех же частотах.
Как пишет Fudzilla, уже в следующем году Micron Technology планирует представить совершенно новый тип видеопамяти с повышенной пропускной способностью — скорость GDDR6 будет в два раза превышать скорость памяти GDDR пятого поколения. Ожидается, что при использовании 4 Гб чипов скорость передачи данных достигнет 10-14 Гб/с, в то время как даже у существующих топовых 8 Гб чипов GDDR5 этот показатель не превышает 8 Гб/с, что подтвердил директор подразделения Micron Graphics Memory Business Кристофер Кидо.
Помимо обеспечения повышенной пропускной способности GDDR6 будет использовать такой же форм-фактор, как и GDDR5, что в итоге упростит процесс проектирования и производства. Эксперты предполагают, что несмотря на наличие более перспективной памяти HBM 2.0, компании Nvidia и AMD могут перейти на GDDR6, так как HBM 2.0 усложняет графические процессоры. Учитывая, что последние четыре года выпускались только 28 нм чипы, 2016 год с выпускаемыми 14 нм и 16 нм чипами станет революционным для видеокарт.
